| Технічні характеристики | |
|---|---|
| Форм-фактор M.2 | |
| Призначення Для комп'ютера, Для ноутбука | |
| Інтерфейс PCIe Gen 3.0 x4 | |
| Об `єм 512 Гб | |
| Тип флеш-пам'яті NAND V-NAND 2bit MLC | |
| Швидкість читання до 3500 МБ/с | |
| Швидкість запису до 2300 МБ/с | |
| Розмір буфера (кеш) 512 Мб | |
| Додаткові функції Підтримка S.M.A.R.T, Підтримка TRIM | |
| Швидкість випадкового читання блоками 4KB 370 000 IOPS | |
| Швидкість випадкового запису блоками 4KB 500 000 IOPS | |
| Контролер Samsung Phoenix | |
| Шифрування AES 256 bit | |
| Енергоспоживання 8,5 Вт (макс) | |
| Ударостійкість 1,500G/0.5 мс | |
| Середній час напрацьовування на відмову (MTBF) 1,5 млн годин | |
| Розміри 80,15 x 22,15 x 2,38 мм | |
| Вага 8 г | |
| Гарантія 60 міс. | |
| Країна виробник Китай, Корея | |
