Технічні характеристики | |
---|---|
Форм-фактор M.2 | |
Призначення Для комп'ютера, Для ноутбука | |
Інтерфейс PCIe Gen 3.0 x4 | |
Об `єм 512 Гб | |
Тип флеш-пам'яті NAND V-NAND 2bit MLC | |
Швидкість читання до 3500 МБ/с | |
Швидкість запису до 2300 МБ/с | |
Розмір буфера (кеш) 512 Мб | |
Додаткові функції Підтримка S.M.A.R.T, Підтримка TRIM | |
Швидкість випадкового читання блоками 4KB 370 000 IOPS | |
Швидкість випадкового запису блоками 4KB 500 000 IOPS | |
Контролер Samsung Phoenix | |
Шифрування AES 256 bit | |
Енергоспоживання 8,5 Вт (макс) | |
Ударостійкість 1,500G/0.5 мс | |
Середній час напрацьовування на відмову (MTBF) 1,5 млн годин | |
Розміри 80,15 x 22,15 x 2,38 мм | |
Вага 8 г | |
Гарантія 60 міс. | |
Країна виробник Китай, Корея |