SSD накопитель Samsung Enterprise 983 DCT NVMe обеспечит сверхбыструю скорость чтения и записи, превышая показатели других систем памяти. Благодаря присутствию высокоскоростного интерфейса PCI Express® (PCIe) Gen 3 удалось достичь невероятной пропускной способности и низкой задержки при загрузке и передаче данных.
Улучшенный механизм исправления ошибок делает возможным своевременное определение любых расхождений сигнала, а также позволяет устранять их в режиме реального времени. Высокоэффективное 256-битное шифрование AES поможет сохранить безопасность данных и постоянно поддерживать высокий уровень производительности устройства.
Усовершенствованная система защиты накопителя обеспечит необходимый уровень тока, чтобы завершить процесс загрузки информации при внезапной потере питания от сети. Танталовый конденсатор предоставит нужный заряд электричества, благодаря которому кэшированные данные передадутся из DRAM во флэш-память SSD.
Поддерживая технологию V-NAND, накопитель Samsung 983DCT Enterprise 983 DCT легко преодолевает ограничения традиционной архитектуры NAND. Укладывая вертикально 64 слоя ячеек, он обеспечивает более высокую плотность и эффективность, занимая при этом меньше площади по сравнению с обычными системами памяти NAND.
SSD накопитель Samsung Enterprise 983 DCT NVMe создан для обработки больших объемов данных, поэтому обеспечит максимально высокую и стабильную производительность на протяжении всего периода службы. Он легко выполнит тяжелые рабочие нагрузки сервера, сохраняя скорость на каждом этапе загрузки и передачи файлов.
Система памяти 983 DCT разработана для серверных приложений, поэтому обеспечит эффективную расстановку приоритетов обслуживания QoS для предсказуемой задержки и IOPS. Это значит, что накопитель готов предоставить максимально высокий уровень производительности с учетом возможностей устройства, на котором будет установлен.
Логика контроллеров SSD Samsung Enterprise 983 DCT NVMe позволяет загружать и передавать большие объемы данных, поэтому накопитель имеет 5-летнюю ограниченную гарантию. Использование технологии V-NAND и качество Samsung обеспечивают 2 миллиона часов средней наработки на отказ, а ресурс TBW составляет 1,366 Тб.
Накопитель поддерживает технологию SMART, которая самостоятельно контролирует, анализирует и предоставляет отчет о внутренних данных SSD. Система Trim сообщит о наличии нежелательных блоков информации, позволяя оптимизировать внутреннее пространство диска и поддерживать производительность Enterprise 983 DCT NVMe.
Динамическая тепловая защита сохраняет SSD Samsung Enterprise 983 DCT NVMe от перегрева, регулируя скорость чипсета в зависимости от внутренней температуры. Снижая уровень производительности, тепловая защита предотвращает отключение от перегрева, позволяя завершить процессы передачи данных.
| Технические характеристики | |
|---|---|
| Форм-фактор M.2 | |
| Назначение Для компьютера, Для сервера | |
| Интерфейс PCIe Gen 3.0 x4 | |
| Объем 960 Гб | |
| Тип флеш-памяти NAND V-NAND 3bit MLC | |
| Скорость чтения до 3000 МБ/с | |
| Скорость записи до 1200 МБ/с | |
| Дополнительные функции Поддержка S.M.A.R.T, Поддержка TRIM | |
| Cкорость случайного чтения блоками 4KB 400 000 IOPS | |
| Скорость случайной записи блоками 4KB 38 000 IOPS | |
| Контроллер Samsung Phoenix | |
| Шифрование AES 256 bit | |
| Энергопотребление 8 Вт (макс) | |
| Ударостойкость 1,500G/0.5 мс | |
| Среднее время наработки на отказ (MTBF) 2 млн часов | |
| Размеры 110.2 x 22.0 x 3.8 мм | |
| Вес 20 г | |
| Гарантия 36 мес. | |
| Страна изготовитель Китай, Корея | |
